FDZ3N513ZT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDZ3N513ZT
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Livret des spécifications:	FDZ3N513ZT.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4112 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4112 pcs

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Spécifications de FDZ3N513ZT

Modèle de produit	FDZ3N513ZT	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4112 pcs	Fiche technique	FDZ3N513ZT.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	+5.5V, -0.3V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	4-WLCSP (1x1)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	462 mOhm @ 300mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	4-UFBGA, WLCSP	Autres noms	FDZ3N513ZTCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 125°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	85pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	1nC @ 4.5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	Schottky Diode (Body)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	3.2V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 1.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (1x1)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.1A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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