FGAF40S65AQ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FGAF40S65AQ
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	650V 40A FS4 SA IGBT
Livret des spécifications:	FGAF40S65AQ.pdf
Etat du stock	50916 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 50916 pcs

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Spécifications de FGAF40S65AQ

Modèle de produit	FGAF40S65AQ	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	650V 40A FS4 SA IGBT	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	50916 pcs	Fiche technique	FGAF40S65AQ.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 40A
Condition de test	400V, 10A, 6 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	17.8ns/81.6ns
énergie de commutation	132µJ (on), 62µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-3PF-3
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	274ns
Puissance - Max	94W	Package / Boîte	TO-3P-3 Full Pack
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	Trench Field Stop
gate charge	75nC	Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 650V 80A 94W Through Hole TO-3PF-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	160A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	80A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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