FGD5T120SH

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FGD5T120SH
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 1200V 5A FS3 DPAK
Livret des spécifications:	FGD5T120SH.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	88224 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 88224 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de FGD5T120SH

Modèle de produit	FGD5T120SH	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 1200V 5A FS3 DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	88224 pcs	Fiche technique	FGD5T120SH.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	1200V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	3.6V @ 15V, 5A
Condition de test	600V, 5A, 30 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	4.8ns/24.8ns
énergie de commutation	247µJ (on), 94µJ (off)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	-	Puissance - Max	69W
Emballage	Cut Tape (CT)	Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms	FGD5T120SHCT	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	Trench Field Stop	gate charge	6.7nC
Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 1200V 10A 69W Surface Mount DPAK	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	12.5A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	10A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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