FGH75T65UPD

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FGH75T65UPD
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
Livret des spécifications:	FGH75T65UPD.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	19324 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 19324 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

450 pcs: $1.55

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Spécifications de FGH75T65UPD

Modèle de produit	FGH75T65UPD	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 650V 150A 375W TO-247AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	19324 pcs	Fiche technique	FGH75T65UPD.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 75A
Condition de test	400V, 75A, 3 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	32ns/166ns
énergie de commutation	2.85mJ (on), 1.2mJ (off)	Package composant fournisseur	TO-247-3
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	85ns
Puissance - Max	375W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	Trench Field Stop	gate charge	385nC
Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 650V 150A 375W Through Hole TO-247-3	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	225A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	150A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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