FGI40N60SFTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FGI40N60SFTU
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 80A 290W I2PAK
Livret des spécifications:	FGI40N60SFTU.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4518 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4518 pcs

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Spécifications de FGI40N60SFTU

Modèle de produit	FGI40N60SFTU	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 80A 290W I2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4518 pcs	Fiche technique	FGI40N60SFTU.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.9V @ 15V, 40A
Condition de test	400V, 40A, 10 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	25ns/115ns
énergie de commutation	1.13mJ (on), 310µJ (off)	Package composant fournisseur	I2PAK (TO-262)
Séries	-	Puissance - Max	290W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	Field Stop
gate charge	120nC	Description détaillée	IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole I2PAK (TO-262)
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	120A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	80A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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