FGL60N100DTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FGL60N100DTU
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 1000V 60A 176W TO264
Livret des spécifications:	FGL60N100DTU.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5926 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5926 pcs

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Spécifications de FGL60N100DTU

Modèle de produit	FGL60N100DTU	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 1000V 60A 176W TO264	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5926 pcs	Fiche technique	FGL60N100DTU.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	1000V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.9V @ 15V, 60A
Condition de test	-	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	-
énergie de commutation	-	Package composant fournisseur	TO-264
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	1.5µs
Puissance - Max	176W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-264-3, TO-264AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	Trench	gate charge	230nC
Description détaillée	IGBT Trench 1000V 60A 176W Through Hole TO-264	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	120A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	60A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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