FGP20N6S2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FGP20N6S2
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 28A 125W TO220AB
Livret des spécifications:	1.FGP20N6S2.pdf 2.FGP20N6S2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5585 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5585 pcs

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Spécifications de FGP20N6S2

Modèle de produit	FGP20N6S2	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 28A 125W TO220AB	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5585 pcs	Fiche technique	1.FGP20N6S2.pdf 2.FGP20N6S2.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 7A
Condition de test	390V, 7A, 25 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	7.7ns/87ns
énergie de commutation	25µJ (on), 58µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-220AB
Séries	-	Puissance - Max	125W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-220-3
Autres noms	FGP20N6S2_NL FGP20N6S2_NL-ND	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	-	gate charge	30nC
Description détaillée	IGBT 600V 28A 125W Through Hole TO-220AB	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	40A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	28A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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