FGY75N60SMD

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FGY75N60SMD
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 150A 750W POWER-247
Livret des spécifications:	FGY75N60SMD.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	17225 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17225 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.195

10 pcs: $1.982

450 pcs: $1.567

900 pcs: $1.429

1350 pcs: $1.245

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Spécifications de FGY75N60SMD

Modèle de produit	FGY75N60SMD	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 150A 750W POWER-247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	17225 pcs	Fiche technique	FGY75N60SMD.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 75A
Condition de test	400V, 75A, 3 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	24ns/136ns
énergie de commutation	2.3mJ (on), 770µJ (off)	Package composant fournisseur	PowerTO-247-3
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	55ns
Puissance - Max	750W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3 Variant	Autres noms	FGY75N60SMD-ND FGY75N60SMDFS
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	Field Stop
gate charge	248nC	Description détaillée	IGBT Field Stop 600V 150A 750W Through Hole PowerTO-247-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	225A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	150A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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