FQA46N15

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQA46N15
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P
Livret des spécifications:	FQA46N15.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	26252 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26252 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.247

10 pcs: $1.127

450 pcs: $0.805

900 pcs: $0.636

1350 pcs: $0.584

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Spécifications de FQA46N15

Modèle de produit	FQA46N15	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 150V 50A TO-3P	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	26252 pcs	Fiche technique	FQA46N15.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-3PN
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max)	250W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3	Autres noms	FQA46N15-ND FQA46N15FS
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3250pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	150V
Description détaillée	N-Channel 150V 50A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-3PN	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	50A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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