FQA47P06

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQA47P06
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 60V 55A TO-3PN
Livret des spécifications:	FQA47P06.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6276 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6276 pcs

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Spécifications de FQA47P06

Modèle de produit	FQA47P06	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 60V 55A TO-3PN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6276 pcs	Fiche technique	FQA47P06.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-3PN
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 27.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	214W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	P-Channel 60V 55A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-3PN
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	55A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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