| Modèle de produit | FQB47P06TM-AM002 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 60V 47A D2PAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 56021 pcs | Fiche technique | FQB47P06TM-AM002.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±25V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
| Séries | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 23.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 3.75W (Ta), 160W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Autres noms | FQB47P06TM-AM002TR FQB47P06TM_AM002 FQB47P06TM_AM002-ND FQB47P06TM_AM002TR FQB47P06TM_AM002TR-ND FQB47P06TMAM002 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | P-Channel 60V 47A (Tc) 3.75W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 47A (Tc) |
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