FQB4N20TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQB4N20TM
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK
Livret des spécifications:	FQB4N20TM.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6291 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6291 pcs

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Spécifications de FQB4N20TM

Modèle de produit	FQB4N20TM	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 200V 3.6A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6291 pcs	Fiche technique	FQB4N20TM.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.4 Ohm @ 1.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.13W (Ta), 45W (Tc)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Autres noms	FQB4N20TMCT
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	200V
Description détaillée	N-Channel 200V 3.6A (Tc) 3.13W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.6A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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