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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Modèle de produit | FQD4P25TM-WS | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 95951 pcs | Fiche technique | FQD4P25TM-WS.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | D-Pak |
| Séries | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 1.55A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 45W (Tc) | Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Autres noms | FQD4P25TM-WSDKR FQD4P25TM_WSDKR FQD4P25TM_WSDKR-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 250V |
| Description détaillée | P-Channel 250V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D-Pak | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.1A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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