| Modèle de produit | FQD4P40TM-AM002 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 400V 2.7A | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 6902 pcs | Fiche technique | FQD4P40TM-AM002.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | D-Pak |
| Séries | QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 Ohm @ 1.35A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Autres noms | FQD4P40TM-AM002TR FQD4P40TM_AM002 FQD4P40TM_AM002TR FQD4P40TM_AM002TR-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 400V |
| Description détaillée | P-Channel 400V 2.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D-Pak | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.7A (Tc) |
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