FQN1N50CBU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQN1N50CBU
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
Livret des spécifications:	FQN1N50CBU.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6447 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6447 pcs

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Spécifications de FQN1N50CBU

Modèle de produit	FQN1N50CBU	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6447 pcs	Fiche technique	FQN1N50CBU.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-92-3
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 Ohm @ 190mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	890mW (Ta), 2.08W (Tc)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	195pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.4nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	500V	Description détaillée	N-Channel 500V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	380mA (Tc)

Mode de transport
Après vente
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