FQN1N60CTA

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FQN1N60CTA
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92
Livret des spécifications:	FQN1N60CTA.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	559613 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 559613 pcs

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Spécifications de FQN1N60CTA

Modèle de produit	FQN1N60CTA	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	559613 pcs	Fiche technique	FQN1N60CTA.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-92-3
Séries	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5 Ohm @ 150mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta), 3W (Tc)	Emballage	Tape & Box (TB)
Package / Boîte	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Autres noms	FQN1N60CTA-ND FQN1N60CTATB
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	170pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.2nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	300mA (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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