MGSF1N03LT3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MGSF1N03LT3
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
Livret des spécifications:	MGSF1N03LT3.pdf
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	6731 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6731 pcs

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Spécifications de MGSF1N03LT3

Modèle de produit	MGSF1N03LT3	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	6731 pcs	Fiche technique	MGSF1N03LT3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-23-3 (TO-236)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 1.2A, 10V
Dissipation de puissance (max)	420mW (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 1.6A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.6A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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