NGTB05N60R2DT4G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NGTB05N60R2DT4G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 5A 600V DPAK
Livret des spécifications:	NGTB05N60R2DT4G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	196676 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 196676 pcs

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Spécifications de NGTB05N60R2DT4G

Modèle de produit	NGTB05N60R2DT4G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 5A 600V DPAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	196676 pcs	Fiche technique	NGTB05N60R2DT4G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 5A
Condition de test	300V, 5A, 30 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	44ns/82ns
énergie de commutation	188µJ (on), 60µJ (off)	Package composant fournisseur	DPAK
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	70ns
Puissance - Max	56W	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	NGTB05N60R2DT4GOSTR
Température de fonctionnement	175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	-
gate charge	30nC	Description détaillée	IGBT 600V 16A 56W Surface Mount DPAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	20A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	16A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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