| Modèle de produit | NTHS5441T1G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 403017 pcs | Fiche technique | NTHS5441T1G.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | ChipFET™ |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.3W (Ta) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead | Autres noms | NTHS5441T1GOS NTHS5441T1GOS-ND NTHS5441T1GOSTR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 5V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | P-Channel 20V 3.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount ChipFET™ | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.9A (Ta) |
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