| Modèle de produit | NTMD6N03R2G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 329152 pcs | Fiche technique | NTMD6N03R2G.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Package composant fournisseur | 8-SOIC |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 6A, 10V |
| Puissance - Max | 1.29W | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Autres noms | NTMD6N03R2GOS NTMD6N03R2GOS-ND NTMD6N03R2GOSTR |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 24V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) | Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6A | Numéro de pièce de base | NTMD6N03 |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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