NTMFD4902NFT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	NTMFD4902NFT1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Livret des spécifications:	NTMFD4902NFT1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	171633 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 171633 pcs

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Spécifications de NTMFD4902NFT1G

Modèle de produit	NTMFD4902NFT1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	171633 pcs	Fiche technique	NTMFD4902NFT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 10A, 10V
Puissance - Max	1.1W, 1.16W	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerTDFN	Autres noms	NTMFD4902NFT1G-ND NTMFD4902NFT1GOSTR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 4.5V
type de FET	2 N-Channel (Dual), Schottky	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 13.3A 1.1W, 1.16W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10.3A, 13.3A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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