SGF80N60UFTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SGF80N60UFTU
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 80A 110W TO3PF
Livret des spécifications:	SGF80N60UFTU.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	15850 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 15850 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

360 pcs: $1.796

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Spécifications de SGF80N60UFTU

Modèle de produit	SGF80N60UFTU	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 80A 110W TO3PF	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	15850 pcs	Fiche technique	SGF80N60UFTU.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 40A
Condition de test	300V, 40A, 5 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	23ns/90ns
énergie de commutation	570µJ (on), 590µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-3PF
Séries	-	Puissance - Max	110W
Emballage	Tube	Package / Boîte	SC-94
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	-
gate charge	175nC	Description détaillée	IGBT 600V 80A 110W Through Hole TO-3PF
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	220A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	80A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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