SGH30N60RUFTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SGH30N60RUFTU
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	IGBT 600V 48A 235W TO3P
Livret des spécifications:	SGH30N60RUFTU.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	4177 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4177 pcs

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Spécifications de SGH30N60RUFTU

Modèle de produit	SGH30N60RUFTU	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	IGBT 600V 48A 235W TO3P	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	4177 pcs	Fiche technique	SGH30N60RUFTU.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 30A
Condition de test	300V, 30A, 7 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	30ns/54ns
énergie de commutation	919µJ (on), 814µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-3P
Séries	-	Puissance - Max	235W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	-
gate charge	85nC	Description détaillée	IGBT 600V 48A 235W Through Hole TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	90A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	48A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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