DMG8601UFG-7

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMG8601UFG-7
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
Livret des spécifications:	DMG8601UFG-7.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	395934 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 395934 pcs

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Spécifications de DMG8601UFG-7

Modèle de produit	DMG8601UFG-7	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	395934 pcs	Fiche technique	DMG8601UFG-7.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.05V @ 250µA	Package composant fournisseur	U-DFN3030-8
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Puissance - Max	920mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerUDFN	Autres noms	DMG8601UFG-7DITR DMG8601UFG7
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	143pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 4.5V
type de FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	20V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6.1A 920mW Surface Mount U-DFN3030-8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6.1A	Numéro de pièce de base	DMG8601UFG

Mode de transport
Après vente
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