DMG8822UTS-13

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DMG8822UTS-13
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP
Livret des spécifications:	DMG8822UTS-13.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	375473 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 375473 pcs

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Spécifications de DMG8822UTS-13

Modèle de produit	DMG8822UTS-13	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	375473 pcs	Fiche technique	DMG8822UTS-13.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA	Package composant fournisseur	8-TSSOP
Séries	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Puissance - Max	870mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	841pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	9.6nC @ 4.5V	type de FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Fonction FET	Standard	Tension drain-source (Vdss)	20V
Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.9A (Ta) 870mW Surface Mount 8-TSSOP	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.9A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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