SI7948DP-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI7948DP-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
Livret des spécifications:	SI7948DP-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5415 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5415 pcs

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Spécifications de SI7948DP-T1-GE3

Modèle de produit	SI7948DP-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5415 pcs	Fiche technique	SI7948DP-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Package composant fournisseur	PowerPAK® SO-8 Dual
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 4.6A, 10V
Puissance - Max	1.4W	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	PowerPAK® SO-8 Dual	Autres noms	SI7948DP-T1-GE3TR SI7948DPT1GE3
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
type de FET	2 N-Channel (Dual)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	60V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3A	Numéro de pièce de base	SI7948

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Après vente
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