SI7956DP-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI7956DP-T1-E3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
Livret des spécifications:	SI7956DP-T1-E3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	51153 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 51153 pcs

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Spécifications de SI7956DP-T1-E3

Modèle de produit	SI7956DP-T1-E3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	51153 pcs	Fiche technique	SI7956DP-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Package composant fournisseur	PowerPAK® SO-8 Dual
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 4.1A, 10V
Puissance - Max	1.4W	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	PowerPAK® SO-8 Dual	Autres noms	SI7956DP-T1-E3TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
type de FET	2 N-Channel (Dual)	Fonction FET	Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)	150V	Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	2.6A	Numéro de pièce de base	SI7956

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Après vente
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