SIHF12N60E-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SIHF12N60E-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
Livret des spécifications:	SIHF12N60E-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	65952 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 65952 pcs

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Spécifications de SIHF12N60E-GE3

Modèle de produit	SIHF12N60E-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	65952 pcs	Fiche technique	SIHF12N60E-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220 Full Pack
Séries	E	Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	33W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Autres noms	SIHF12N60E-GE3-ND SIHF12N60E-GE3TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	937pF @ 100V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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