SIHF12N60E-GE3

Vishay Siliconix

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SIHF12N60E-GE3
Fabricant / marque:	Vishay / Siliconix
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
Livret des spécifications:	SIHF12N60E-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	32927 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 32927 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.019

10 pcs: $0.916

25 pcs: $0.864

100 pcs: $0.736

250 pcs: $0.691

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Spécifications de SIHF12N60E-GE3

Modèle de produit	SIHF12N60E-GE3	Fabricant	Vishay Siliconix
La description	MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	32927 pcs	Fiche technique	SIHF12N60E-GE3.pdf
Tension - Test	937pF @ 100V	Vgs (th) (Max) @ Id	380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (Max)	10V	La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Séries	E	État RoHS	Digi-Reel®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12A (Tc)	Polarisation	TO-220-3 Full Pack
Autres noms	SIHF12N60E-GE3DKR	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	SIHF12N60E-GE3	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	58nC @ 10V
type de IGBT	±30V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA
Fonction FET	N-Channel	Description élargie	N-Channel 600V 12A (Tc) 33W (Tc) Through Hole
Tension drain-source (Vdss)	-	La description	MOSFET N-CH 600V 12A TO220 FULLP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	600V	Ratio de capacité	33W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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