SIHG40N60E-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SIHG40N60E-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Livret des spécifications:	SIHG40N60E-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	10424 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10424 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.782

10 pcs: $2.504

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500 pcs: $1.725

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Spécifications de SIHG40N60E-GE3

Modèle de produit	SIHG40N60E-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	10424 pcs	Fiche technique	SIHG40N60E-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247AC
Séries	E	Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max)	329W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4436pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	197nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	600V	Description détaillée	N-Channel 600V 40A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247AC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	40A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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