SIHG33N65E-GE3

Vishay Siliconix

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SIHG33N65E-GE3
Fabricant / marque:	Vishay / Siliconix
Description du produit	MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
Livret des spécifications:	SIHG33N65E-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	13845 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 13845 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.48

10 pcs: $2.241

25 pcs: $2.137

100 pcs: $1.855

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Spécifications de SIHG33N65E-GE3

Modèle de produit	SIHG33N65E-GE3	Fabricant	Vishay Siliconix
La description	MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	13845 pcs	Fiche technique	SIHG33N65E-GE3.pdf
Tension - Test	4040pF @ 100V	Tension - Ventilation	TO-247AC
Vgs (th) (Max) @ Id	105 mOhm @ 16.5A, 10V	Vgs (Max)	10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	-
État RoHS	Digi-Reel®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	32.4A (Tc)
Polarisation	TO-247-3	Autres noms	SIHG33N65E-GE3DKR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	SIHG33N65E-GE3
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	173nC @ 10V	type de IGBT	±30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA	Fonction FET	N-Channel
Description élargie	N-Channel 650V 32.4A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-247AC	Tension drain-source (Vdss)	-
La description	MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	650V
Ratio de capacité	313W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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