Global Power Technologies Group| Modèle de produit | GP2M012A080NG | Fabricant | Global Power Technologies Group |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 4253 pcs | Fiche technique | GP2M012A080NG.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TO-3PN |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 416W (Tc) | Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 | Autres noms | 1560-1211-1 1560-1211-1-ND 1560-1211-5 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3370pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 800V |
| Description détaillée | N-Channel 800V 12A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-3PN | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | À partir de 35,00 $, les frais d’expédition de base dépendent de la zone et du pays. |
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