IXTA18P10T

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXTA18P10T
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
Livret des spécifications:	IXTA18P10T.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	51918 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 51918 pcs

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Spécifications de IXTA18P10T

Modèle de produit	IXTA18P10T	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET P-CH 100V 18A TO-263	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	51918 pcs	Fiche technique	IXTA18P10T.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-263 (IXTA)
Séries	TrenchP™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max)	83W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	100V	Description détaillée	P-Channel 100V 18A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	18A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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