IXTA1N80

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXTA1N80
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
Livret des spécifications:	IXTA1N80.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	38786 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38786 pcs

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Spécifications de IXTA1N80

Modèle de produit	IXTA1N80	Fabricant	IXYS Corporation
La description	MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	38786 pcs	Fiche technique	IXTA1N80.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 25µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-263 (IXTA)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	40W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.5nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	800V	Description détaillée	N-Channel 800V 750mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	750mA (Tc)

Mode de transport
Après vente
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