IXYP10N65C3D1M

IXYS Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXYP10N65C3D1M
Fabricant / marque:	IXYS Corporation
Description du produit	IGBT
Livret des spécifications:	IXYP10N65C3D1M.pdf
Etat du stock	43729 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43729 pcs

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Spécifications de IXYP10N65C3D1M

Modèle de produit	IXYP10N65C3D1M	Fabricant	IXYS Corporation
La description	IGBT	État sans plomb / État RoHS
Quantité disponible	43729 pcs	Fiche technique	IXYP10N65C3D1M.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 10A
Condition de test	400V, 10A, 50 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	20ns/77ns
énergie de commutation	240µJ (on), 170µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-220 Isolated Tab
Séries	XPT™, GenX3™	Temps de recouvrement inverse (trr)	26ns
Puissance - Max	53W	Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	-
gate charge	18nC	Description détaillée	IGBT 650V 15A 53W Through Hole TO-220 Isolated Tab
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	50A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	15A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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