R8010ANX

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	R8010ANX
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Livret des spécifications:	R8010ANX.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	24143 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 24143 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.289

10 pcs: $1.151

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500 pcs: $0.764

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Spécifications de R8010ANX

Modèle de produit	R8010ANX	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 800V 10A TO220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	24143 pcs	Fiche technique	R8010ANX.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-220FM
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	560 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	40W (Tc)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack	Autres noms	R8010ANXCT R8010ANXCT-ND
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1750pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	800V
Description détaillée	N-Channel 800V 10A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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