RHU002N06T106

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RHU002N06T106
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
Livret des spécifications:	RHU002N06T106.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1271302 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1271302 pcs

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Spécifications de RHU002N06T106

Modèle de produit	RHU002N06T106	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1271302 pcs	Fiche technique	RHU002N06T106.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	UMT3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	200mW (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SC-70, SOT-323	Autres noms	RHU002N06T106-ND RHU002N06T106TR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	15pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4.4nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	60V
Description détaillée	N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	200mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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