RHU003N03FRAT106

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RHU003N03FRAT106
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS
Livret des spécifications:	1.RHU003N03FRAT106.pdf 2.RHU003N03FRAT106.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	1436906 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1436906 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de RHU003N03FRAT106

Modèle de produit	RHU003N03FRAT106	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	1436906 pcs	Fiche technique	1.RHU003N03FRAT106.pdf 2.RHU003N03FRAT106.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	UMT3
Séries	Automotive, AEC-Q101	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 300mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	200mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SC-70, SOT-323	Autres noms	RHU003N03FRAT106TR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW Surface Mount UMT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	300mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
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(UNIQUEMENT POUR LES CIRCUITS INTÉGRÉS, LA PROTECTION DE CIRCUIT, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs et les relais

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