RQ1A070ZPTR

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RQ1A070ZPTR
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Livret des spécifications:	RQ1A070ZPTR.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	188278 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 188278 pcs

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Spécifications de RQ1A070ZPTR

Modèle de produit	RQ1A070ZPTR	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	188278 pcs	Fiche technique	RQ1A070ZPTR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TSMT8
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 7A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	700mW (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SMD, Flat Lead	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7400pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	58nC @ 4.5V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)	12V	Description détaillée	P-Channel 12V 7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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