RQ1E070RPTR

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RQ1E070RPTR
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Livret des spécifications:	1.RQ1E070RPTR.pdf 2.RQ1E070RPTR.pdf 3.RQ1E070RPTR.pdf 4.RQ1E070RPTR.pdf 5.RQ1E070RPTR.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	63995 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 63995 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.457

10 pcs: $0.405

100 pcs: $0.32

500 pcs: $0.248

1000 pcs: $0.196

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Spécifications de RQ1E070RPTR

Modèle de produit	RQ1E070RPTR	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	63995 pcs	Fiche technique	1.RQ1E070RPTR.pdf 2.RQ1E070RPTR.pdf 3.RQ1E070RPTR.pdf 4.RQ1E070RPTR.pdf 5.RQ1E070RPTR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TSMT8
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max)	550mW (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-SMD, Flat Lead	Autres noms	RQ1E070RPCT
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2700pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 5V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	P-Channel 30V 7A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount TSMT8	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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