| Modèle de produit | RQ6C050UNTR | Fabricant | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 20V 5A TSMT | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
| Quantité disponible | 149396 pcs | Fiche technique | 1.RQ6C050UNTR.pdf2.RQ6C050UNTR.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA | Vgs (Max) | ±10V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | TSMT6 (SC-95) |
| Séries | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 1.25W (Ta) | Emballage | Original-Reel® |
| Package / Boîte | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Autres noms | RQ6C050UNDKR RQ6C050UNTRDKR RQ6C050UNTRDKR-ND |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.5V, 4.5V | Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| Description détaillée | N-Channel 20V 5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5A (Ta) |
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