RQ6E055BNTCR

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RQ6E055BNTCR
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
Livret des spécifications:	1.RQ6E055BNTCR.pdf 2.RQ6E055BNTCR.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	356018 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 356018 pcs

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Spécifications de RQ6E055BNTCR

Modèle de produit	RQ6E055BNTCR	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	356018 pcs	Fiche technique	1.RQ6E055BNTCR.pdf 2.RQ6E055BNTCR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TSMT6 (SC-95)
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.25W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Autres noms	RQ6E055BNTCRTR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	355pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 5.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	5.5A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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