RUC002N05HZGT116

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RUC002N05HZGT116
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	1.2V DRIVE NCH MOSFET
Livret des spécifications:	1.RUC002N05HZGT116.pdf 2.RUC002N05HZGT116.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	345721 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 345721 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.084

10 pcs: $0.078

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500 pcs: $0.023

1000 pcs: $0.016

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Spécifications de RUC002N05HZGT116

Modèle de produit	RUC002N05HZGT116	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	1.2V DRIVE NCH MOSFET	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	345721 pcs	Fiche technique	1.RUC002N05HZGT116.pdf 2.RUC002N05HZGT116.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SST3
Séries	Automotive, AEC-Q101	Dissipation de puissance (max)	350mW (Ta)
Emballage	Original-Reel®	Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms	RUC002N05HZGT116DKR	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.2V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	50V
Description détaillée	N-Channel 50V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	200mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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