RUC002N05T116

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RUC002N05T116
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3
Livret des spécifications:	1.RUC002N05T116.pdf 2.RUC002N05T116.pdf 3.RUC002N05T116.pdf 4.RUC002N05T116.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	308055 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 308055 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.116

10 pcs: $0.104

100 pcs: $0.058

500 pcs: $0.031

1000 pcs: $0.021

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Spécifications de RUC002N05T116

Modèle de produit	RUC002N05T116	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	308055 pcs	Fiche technique	1.RUC002N05T116.pdf 2.RUC002N05T116.pdf 3.RUC002N05T116.pdf 4.RUC002N05T116.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SST3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	200mW (Ta)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Autres noms	RUC002N05T116DKR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.2V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)	50V	Description détaillée	N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	200mA (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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