CSD19506KTTT

N/A

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Présentation du produit

Modèle de produit:	CSD19506KTTT
Fabricant / marque:	N/A
Description du produit	IC MOSFET N-CH 80V TO-220
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	23774 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 23774 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

150 pcs: $1.577

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Spécifications de CSD19506KTTT

Modèle de produit	CSD19506KTTT	Fabricant	N/A
La description	IC MOSFET N-CH 80V TO-220	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	23774 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	3.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	DDPAK/TO-263-3
Séries	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)	375W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	2 (1 Year)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12200pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	156nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	80V	Description détaillée	N-Channel 80V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	200A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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