CSD19531Q5A

N/A

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Présentation du produit

Modèle de produit:	CSD19531Q5A
Fabricant / marque:	N/A
Description du produit	MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Livret des spécifications:
État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Etat du stock	124603 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 124603 pcs

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Spécifications de CSD19531Q5A

Modèle de produit	CSD19531Q5A	Fabricant	N/A
La description	MOSFET N-CH 100V 100A 8SON	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / RoHS non conforme
Quantité disponible	124603 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	3.3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-VSONP (5x6)
Séries	NexFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.4 mOhm @ 16A, 10V
Dissipation de puissance (max)	3.3W (Ta), 125W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerTDFN	Autres noms	296-41232-2 CSD19531Q5A-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3870pF @ 50V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	N-Channel 100V 100A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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