APT102GA60B2

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT102GA60B2
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	IGBT 600V 183A 780W TO247
Livret des spécifications:	APT102GA60B2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	5795 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5795 pcs

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Spécifications de APT102GA60B2

Modèle de produit	APT102GA60B2	Fabricant	Microsemi
La description	IGBT 600V 183A 780W TO247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	5795 pcs	Fiche technique	APT102GA60B2.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 62A
Condition de test	400V, 62A, 4.7 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	28ns/212ns
énergie de commutation	1.354mJ (on), 1.614mJ (off)	Séries	POWER MOS 8™
Puissance - Max	780W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3 Variant	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	PT	gate charge	294nC
Description détaillée	IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	307A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	183A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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