APT50GT120B2RDQ2G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT50GT120B2RDQ2G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	IGBT 1200V 94A 625W TO247
Livret des spécifications:	APT50GT120B2RDQ2G.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	6265 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6265 pcs

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Spécifications de APT50GT120B2RDQ2G

Modèle de produit	APT50GT120B2RDQ2G	Fabricant	Microsemi
La description	IGBT 1200V 94A 625W TO247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	6265 pcs	Fiche technique	APT50GT120B2RDQ2G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	1200V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 50A
Condition de test	800V, 50A, 4.7 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	24ns/230ns
énergie de commutation	2330µJ (off)	Séries	Thunderbolt IGBT®
Puissance - Max	625W	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	APT50GT120B2RDQ2GMI APT50GT120B2RDQ2GMI-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	NPT
gate charge	340nC	Description détaillée	IGBT NPT 1200V 94A 625W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	150A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	94A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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