STGB6M65DF2

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STGB6M65DF2
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
Livret des spécifications:	STGB6M65DF2.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	125139 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 125139 pcs

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Spécifications de STGB6M65DF2

Modèle de produit	STGB6M65DF2	Fabricant	STMicroelectronics
La description	IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	125139 pcs	Fiche technique	STGB6M65DF2.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 6A
Condition de test	400V, 6A, 22 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	15ns/90ns
énergie de commutation	36µJ (on), 200µJ (off)	Package composant fournisseur	D2PAK
Séries	M	Temps de recouvrement inverse (trr)	140ns
Puissance - Max	88W	Package / Boîte	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	Trench Field Stop
gate charge	21.2nC	Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount D2PAK
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	24A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	12A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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