STGFW40H65FB

STMicroelectronics

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Présentation du produit

Modèle de produit:	STGFW40H65FB
Fabricant / marque:	STMicroelectronics
Description du produit	IGBT HB 650V 40A ISOWATT218
Livret des spécifications:	STGFW40H65FB.pdf
État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Etat du stock	37242 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 37242 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.931

30 pcs: $0.788

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510 pcs: $0.552

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Spécifications de STGFW40H65FB

Modèle de produit	STGFW40H65FB	Fabricant	STMicroelectronics
La description	IGBT HB 650V 40A ISOWATT218	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / Conforme RoHS
Quantité disponible	37242 pcs	Fiche technique	STGFW40H65FB.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 40A
Condition de test	400V, 40A, 5 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	40ns/142ns
énergie de commutation	498µJ (on), 363µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-3PF-3
Séries	-	Puissance - Max	62.5W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-3P-3 Full Pack
Autres noms	497-15540-5	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	Trench Field Stop	gate charge	210nC
Description détaillée	IGBT Trench Field Stop 650V 80A 62.5W Through Hole TO-3PF-3	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	160A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	80A

Mode de transport
Après vente
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